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三菱电机半导体 ? 来源:三菱电机半导体 ? 2025-08-06 13:48 ? 次阅读
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在Si-IGBT的DIPIPM基础上,三菱电机开发了超小型全SiC DIPIPM,保持相同的封装及管脚配置。本文带你一览超小型全SiC DIPIPM的优势。

正文字数:857;阅读时间:3分钟

三菱电机从1997年开始将DIPIPM产品化,广泛应用于空调、洗衣机、冰箱等白色家用电器,以及通用变频器机器人等工业设备。本公司的DIPIPM功率模块采用压注模结构,由功率芯片和具有驱动及保护功能的控制IC芯片组成。通过优化功率芯片和控制IC,预先调整了开关速度等特性。搭载驱动电路保护电路、电平转换电路的HVIC(High Voltage IC),可通过CPU微机的输入信号直接控制,通过单电源化和消除光耦来减小电路板尺寸,并实现高可靠性。另外,内置BSD(Bootstrap Diode),可减少外围元件数量。因此,DIPIPM使逆变器外围电路的设计变得更加容易,有助于客户逆变器电路板的小型化和缩短设计时间。

近年来,随着全球环境保护意识的提高,节能技术在世界各国越来越受到重视,变频技术的应用范围也相应扩大。例如,在空调设备行业,世界各国都制定了节能标准,预计今后将进一步加强限制值。本公司为了应对白色家电等小容量逆变器单元的进一步节能化,以本公司此前积累的DIPIPM技术为基础,于2016年产品化了“超小型全SiC DIPIPM”。图1为产品外观,图2为内部结构图。

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图1:产品外观

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图2:内部结构图

超小型全SiC DIPIPM采用6个SiC-MOSFET构成三相逆变桥,HVIC和LVIC(Low Voltage IC)负责驱动和保护SiC-MOSFET。利用BSD和外接电容,与目前搭载Si-IGBT的DIPIPM一样,可以单电源驱动。此外,HVIC可将温度信息以模拟电压信号输出,有助于提高逆变器系统的功能安全性。图3显示了超小型全SiC DIPIPM的内部电路图。

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图3:内部电路图

超小型全SiC DIPIPM上搭载的SiC-MOSFET,采用本公司开发的独特栅极氧化膜形成工艺和新型元胞缩窄技术,实现了低导通电阻和高阈值电压。与搭载Si-IGBT的本公司原有产品“超小型DIPIPM Ver.6”系列相比,实现了功率损耗约70%以上的大幅度降低。

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图4:功率损耗对比

该产品的主要特点如下:

搭载SiC-MOSFET,降低导通电阻,与传统产品相比,功率损耗降低70%以上(图4);

通过降低反向恢复电流可实现低噪声系统(图5);

搭载高Vth SiC-MOSFET专有技术,栅极驱动无需负偏置电压;

确保与以往产品相同封装及管脚配置的兼容性;

电流额定值15A、25A/600V;

内置保护功能,可实现SiC MOSFET的安全稳定工作;

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图5:噪声对比

自2016年以来,超小型全SiC DIPIPM已经在市场上取得了良好的业绩记录,主要用于空调设备。本公司今后将继续扩充搭载SiC-MOSFET的DIPIPM产品阵容,并适当开发适合市场需求的产品。从而支持白色家电和工业设备等小容量逆变器设备的节能化,为保护地球环境做出贡献。

※DIPIPM是三菱电机株式会社的商标

正文完

<关于三菱电机>

三菱电机创立于1921年,是全球知名的综合性企业。截止2025-08-06的财年,集团营收52579亿日元(约合美元348亿)。作为一家技术主导型企业,三菱电机拥有多项专利技术,并凭借强大的技术实力和良好的企业信誉在全球的电力设备、通信设备、工业自动化电子元器件、家电等市场占据重要地位。尤其在电子元器件市场,三菱电机从事开发和生产半导体已有68年。其半导体产品更是在变频家电、轨道牵引、工业与新能源、电动汽车、模拟/数字通讯以及有线/无线通讯等领域得到了广泛的应用。

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原文标题:第13讲:超小型全SiC DIPIPM

文章出处:【微信号:三菱电机半导体,微信公众号:三菱电机半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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