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百度部分地方移风易俗难推动，原因或者是一刀切，不符合乡情民情，或者行政手段干预太多太细，急于求成等等。

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《电子发烧友电子设计周报》聚焦硬科技领域核心价值第14期：2025.06.2--2025.06.6

标签：GaN Qorvo 5G-A 1195 0

STDRIVEG600驱动GAN逆变器,在某一拍出现控制信号丢失，导致电机电流跌落的原因？

标签：逆变器 GaN 8331 1

基于GaN HEMT的半桥LLC优化设计和损耗分析

标签：GaN LLC 1363 0

基于VIPerGaN50和STUSB4761的45W QR USB PD适配器参考设计

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标签：GaN 快速充电器 586 0

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标签：GaN 功率半导体 1498 0

标签：GaN 功率半导体 1350 0

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GAN041-650WSB氮化镓(GaN)FET规格书立即下载

类别：电子资料 2025-08-05 标签：FET 氮化镓 GaN 207 0

GAN039-650NBB氮化镓(GaN)FET规格书立即下载

类别：电子资料 2025-08-05 标签：氮化镓 GaN 190 0

GANE3R9-150QBA氮化镓(GaN)FET规格书立即下载

类别：电子资料 2025-08-05 标签：FET 氮化镓 GaN 165 0

GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半导体立即下载

类别：电子资料 2025-08-05 标签：GaN 功率半导体 134 0

变速电机驱动器受益于集成GaN立即下载

类别：电子资料 2025-08-05 标签：驱动器 GaN 变速电机 144 0

新一代GaN器件,满足AI服务器电源需求立即下载

类别：电子资料 2025-08-05 标签：服务器 AI GaN 184 0

用于高频、大功率工业电机驱动的GaN功率IC创新立即下载

类别：电子资料 2025-08-05 标签：电机驱动高频 GaN 185 0

电动汽车的SiC演变和GaN革命立即下载

类别：电子资料 2025-08-05 标签：电动汽车 SiC GaN 192 0

利用GaN HEMTs降低电机驱动应用的系统成本立即下载

类别：电子资料 2025-08-05 标签：电机驱动 GaN 100 0

GaN半桥功率IC和AHB/图腾柱拓扑结构可实现效率高达95.5%的240W、150cc PD3.1解决方案立即下载

类别：电子资料 2025-08-05 标签：拓扑结构 GaN AHB 470 0

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慕尼黑法院判决英飞凌控告英诺赛科专利侵权案胜诉

【 2025 年 8 月 4 日，德国慕尼黑讯】德国慕尼黑地方法院（Landgericht München I）近日就英飞凌科技股份公司（FSE...

2025-08-05 标签：英飞凌专利 GaN 364 0

芯干线邀您共赴2025电源与电磁兼容技术应用大会

2025-08-05，电极限将在上海长荣桂冠酒店举办“电源与电磁兼容技术应用大会”，并开设EMC设计与整改实战特训班。

2025-08-05 标签：电磁兼容半导体 GaN 353 0

英诺赛科与联合电子成立 GaN 技术联合实验室

近日，氮化镓领域的领军企业英诺赛科与全球领先的汽车电子系统供应商联合电子宣布，双方携手成立氮化镓（GaN）技术联合实验室。这一合作旨在充分发挥氮化镓器件...

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浅谈氮化镓器件的制造难点

制造氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMTs）具有一定难度，这主要归因于材料本身以及制造工艺中的多项挑战。

2025-08-05 标签：晶体管氮化镓 GaN 1389 0

54%关税之后，我们才看懂ST和英诺赛科这场GaN合作的真正价值

近日，美国宣布对全球大多数进口商品加征10%基础关税，并对包括中国在内的多个国家追加“对等关税”，将中国商品综合税率推升至54%。中国随后反制，扩大关税...

2025-08-05 标签：ST GaN 英诺赛科 488 0

垂直GaN迎来新突破！

电子发烧友网综合报道最近垂直GaN功率器件又迎来新进展。7月10日，广东致能CEO黎子兰博士，在瑞典举办的全球氮化物半导体顶尖会议ICNS(国际氮化物...

2025-08-05 标签：功率器件 GaN 4158 0

大连理工大学：科研团队在氮化镓高温三维磁传感芯片领域取得突破性进展

近期，光电工程与仪器科学学院黄火林教授团队在第三代半导体氮化镓（GaN）磁传感器领域取得重要进展，在国际上率先研制出可稳定工作在1.9 K~673K极宽...

2025-08-05 标签：氮化镓 GaN 磁传感器 1787 0

小功率高效率E-GaN开关电源管理方案：U8723AH+U7116W

小功率高效率E-GaN开关电源管理方案：U8723AH+U7116W小功率开关电源的效率是一个重要的设计指标，它决定了电源的功耗和发热量。为了提高效率，...

2025-08-05 标签：开关电源 GaN 195 0

重磅！英伟达800V高压直流架构革新AI数据中心，三大功率GaN大厂新品揭秘

电子发烧友原创章鹰 GaN作为一种性能优异的宽禁带半导体材料，近年来在功率半导体市场备受关注，从消费电子快充领域崛起，到如今的AI服务器、人形机器人等...

2025-08-05 标签：AI GaN 英伟达 6221 0

瑞萨电子推出全新GaN FET，增强高密度功率转换能力，适用于AI数据中心、工业及电源系统应用

基于成熟的SuperGaN技术，650V第四代增强型产品凭借卓越的热效率和超低功率损耗带来强劲性能瑞萨电子今日宣布推出三款新型高压650V GaN ...

2025-08-05 标签：功率转换 AI GaN 218 0

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GS61008P-MR	增强型硅基氮化镓功率晶体管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM		获取价格

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